ผู้ผลิตชิป DRAM และ NAND flash ค่ายยักษ์ใหญ่อย่าง SK Hynix ได้เปิดเผยรายระเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับชิปแรมรุ่นใหม่ล่าสุดอย่าง GDDR6 และ HBM2 หลังจากที่ได้เปิดตัวไปในช่วงเดือนเมษายนที่ผ่านมา
ชิป GDDR6 หนึ่งตัวจะมีความจุ 1 GB ความเร็วมีสองรุ่นคือ 14 Gbps และ 12 Gbps ใช้แรงดันไฟ 1.35 V ซึ่งกำลังดำเนินการพัฒนาตัวชิปอยู่อย่างต่อเนื่อง และกำลังจะเริ่มผลิตล็อตใหญ่ในเร็วๆนี้ คาดว่าจะพร้อมส่งไปยังผู้ผลิตต่างๆช่วงปลายปี 2017 ถึง ต้นปี 2018 ส่วน HBM2 จะมีความเร็วเพิ่มขึ้นจากเวอร์ชั่นปี 2016 และถ้านำมาซ้อนกัน 4 ชั้น จะมี Bandwidth ได้ถึง 819.2 GB/s เลยทีเดียว ยกตัวอย่างเช่น Vega 10 รุ่นทดสอบที่อ้างว่าใช้ตัวชิป HBM2 จำนวน 2 ชั้้น ทำให้มี Bandwidth อยู่ที่ 409.6 GB/s แต่ HBM2 ยังไม่มีข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับวันผลิตและออกจำหน่ายเพราะยังอยู่ในขั้นพัฒนา
ความคิดเห็นทีมข่าวล้ำหน้าโชว์
ได้เวลาที่วงการผลิต Graphic Card ต้องเกิดการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่เหมือนกับแรม DDR3 และ DDR4 ที่กำลังเริ่มเปลี่ยนไปตามยุคสมัย GPU ตัวไหนจะได้ GDDR6 ไปใช้เป็นรุ่นแรก ต้นปี 2018 คงได้รู้กัน
ที่มา www.techpowerup.com
