ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่อีกเจ้าของโลก SK Hynix ประกาศเปิดตัวชิปเทคโนโลยีใหม่ยุคต่อไป Gen-2 High-Bandwidth Memory หรือ HBM2E ที่ดีกว่า HBM2 เดิม
มาพร้อมขนาดแบนด์วิดธ์ที่กว้างกว่าเดิมถึง 50 เปอร์เซ็นต์ ความเร็วส่งข้อมูลได้สูงสุดถึง 460GB ต่อวินาที และเพิ่มความจุจากเดิม 8GB มาเป็น 16GB
ความเร็วในการส่งข้อมูลต่อ Pin ของตัวชิป สามารถทำได้ที่ 3.6Gb ต่อวินาที มีค่า I/O (Inputs/Outputs) ที่ 1024 หน่วย
มีเทคโนโลยี TSV (Through Silicon Via) สามารถเรียงต่อ Stack ชิป 16Gb จำนวน 8 ตัว แบบแนวตั้ง ทำให้ได้ชิปความจุสูงถึง 16GB ต่อ 1 ชุด Stack
ยังมีความสามารถในการเชื่อมต่อแบบ Inteconnect แนบสนิทชิดกับชิปเซ็ตอื่นๆ อย่างเช่น GPU หรือ Logic Chip ด้วยระยะห่างเพียงไม่กี่ ㎛ ทำให้มีความเร็วมากขึ้นกว่าเดิม แตกต่างการ DRAM แบบเดิม ที่ต้องใช้เป็นโมดูล เสียบเข้ากับบอร์ด
คาดว่าจะเริ่มการผลิตได้ในช่วงปี 2020 หน้านี้ และช่วงเริ่มแรก จะเน้นใช้งานกับกับโซลูชั่น Machine Learning, AI, Super Computer และ Graphic Card ระดับ High-End ก่อน
ที่มา: SK Hynix
