ตั้งแต่มีสงครามการค้าระหว่างจีนและสหรัฐฯ เราก็เริ่มเห็นความเปลี่ยนแปลงมากมายจากจีน และตอนนี้ ก็มีบริษัท ChangXin ที่เตรียมผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM ของตัวเองแล้วด้วย
ก่อนหน้านี้ก็ได้เห็นกันมาทั้ง CPU จาก Jhaoxin ตามด้วย Micro GPU จาก Jingjia ตอนนี้ก็ถึงคราวของชิปหน่วยความจำในที่สุด จากบริษัทชื่อว่า ChangXin เป็นบริษัทที่รัฐบาลจีนช่วยสนับสนุน และมีเงินลงทุนกว่า 2.6 หมื่นล้านเหรียญ (7.9 แสนล้านบาท)
มีกำลังผลิตแผ่นเวเฟอร์ได้ถึง 120,000 แผ่นต่อเดือน คาดว่าจะเริ่มผลิตอย่างเป็นทางการได้ในปลายปี 2019 นี้ และจะมีการเพิ่มกำลังการผลิตขึ้นอีกในปีต่อๆ ไป
แต่โมดูลที่ ChangXin ผลิตนี้ จะยังเป็นโหนดขนาด 18 นาโนเมตรอยู่ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่ตามหลังตัว 16 หรือ 12 นาโนเมตร ที่ผู้ผลิตเจ้าตลาดในปัจจุบันอย่าง Samsung, SK Hynix และ Micron ใช้กัน ทั้ง 3 บริษัทนี้ครองตลาดโลกถึง 95 เปอร์เซ็นต์เลยทีเดียว
ชัดเจนว่านี่คือภูเขาลูกใหญ่ ที่ ChangXin จะต้องพยายามฝ่าไปให้ได้ แต่เชื่อว่าราคาของจีนนั้น น่าจะตั้งออกมาได้ถูกแน่นอน และน่าจะดึงดูดใจผู้บริโภคได้มากทีเดียว อาจทำให้ได้รับความนิยมในตลาดอย่างรวดเร็ว
สเปกการออกแบบที่ ChangXin ใช้ผลิตนี้ เป็นสิทธิบัตรจากบริษัท Qimonda ซึ่งยืนยันว่าไม่ละเมิดสิทธิบัตรของบริษัทผลิตชิปอเมริกาอย่างแน่นอน ส่วนการวางจำหน่ายจริง คาดว่าน่าจะเป็นช่วงปี 2020 หน้านี้ รอดูกันว่าจะส่งผลกับตลาดยังไงบ้าง
ที่มา: Notebookcheck
