Microchip เดินหน้าขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงาน RF ชนิด Gallium Nitride (GaN) มอบสมรรถนะการทำงานในระดับที่จำเป็นต่อการใช้งาน 5G, ระบบสื่อสารดาวเทียม และการป้องกันประเทศ
Microchip Technology Inc. ได้ประกาศเปิดตัวการขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงานความถี่วิทยุ (Radio Frequency หรือ RF) ชนิด Gallium Nitride (GaN) ครั้งสำคัญ ที่มาพร้อม MMIC แบบใหม่และทรานซิสเตอร์ระบบแยก ซึ่งครอบคลุมความถี่สูงถึง 20 กิกะเฮิร์ตซ์ (GHz) อุปกรณ์เหล่านี้ผสาน PAE (High Power-added Efficiency) และความเป็นเชิงเส้นสูง (High Linearity) เพื่อส่งมอบสมรรถนะการทำงานระดับใหม่ในการใช้งานต่างๆ ตั้งแต่ 5G ไปจนถึงการสงครามอิเล็กทรอนิกส์ ระบบสื่อสารดาวเทียม ระบบรับส่งสัญญาณเชิงพาณิชย์และการป้องกันประเทศ และเครื่องมือทดสอบวัสดุ
เช่นเดียวกับผลิตภัณฑ์พลังงาน RF ชนิด GaN ชนิดอื่นๆ อุปกรณ์เหล่านี้ได้รับการผลิตโดยใช้เทคโนโลยี GaN-on-silicon Carbide ที่ให้ความหนาแน่นพลังงานสูงและผลผลิตที่ดีที่สุด รวมถึงการทำงานแรงดันไฟฟ้าสูงและอายุการใช้งานยาวนาน 1 ล้านชั่วโมงในอุณหภูมิสูงสุดที่ยอมรับได้ (Junction Temperature) ที่ 255o C
อุปกรณ์เหล่านี้รวมถึง MMIC ชนิด GaN ที่ครอบคลุมความถี่ 2 ถึง 18 GHz, 12 ถึง 20 GHz, และ 12 ถึง 20 GHz ด้วยพลังงานขาออก RF Compression Point 3dB (P3dB) ที่สูงถึง 20 W และประสิทธิภาพสูงถึง 25% ตลอดจน Bare Die และตัวขยายสัญญาณ MMIC ชนิด GaN ในบรรจุภัณฑ์ ซึ่งครอบคลุม DC ถึง 14 GHz ด้วยพลังงานขาออก RF P3dB สูงถึง 100W และประสิทธิภาพสูงสุด 70%
ลีออน กรอส รองประธานหน่วยธุรกิจผลิตภัณฑ์ระบบแยกของ Microchip กล่าวว่า “Microchip ยังลงทุนในตระกูลผลิตภัณฑ์ RF ชนิด GaN อย่างต่อเนื่องเพื่อสนับสนุนการใช้งานทุกประเภทในทุกความถี่จากคลื่นไมโครเวฟไปจนถึงความยาวคลื่นระดับมิลลิเมตร และกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรายังรวมถึงอุปกรณ์มากกว่า 50 ชนิด ตั้งแต่ระดับพลังงานต่ำไปจนถึง 2.2 kW เมื่อรวมกับผลิตภัณฑ์ที่เปิดตัวในวันนี้
อุปกรณ์จะขยายความถี่มากขึ้น 2 ถึง 20 GHz และได้รับการออกแบบให้ใช้งานในสถานการณ์ที่มีความยากลำบากในด้านความเป็นเชิงเส้น (Linearity) และประสิทธิภาพ (Efficiency) จากเทคนิค Higher-order Modulation ซึ่งใช้ใน 5G และเครือข่ายไร้สายอื่นๆ นอกจากนี้ อุปกรณ์ของเรายังตอบสนองความต้องการพิเศษในการใช้งานระบบสื่อสารดาวเทียมและการป้องกันประเทศอีกด้วย”
กลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ RF ของ Microchip ที่เข้ามาเสริมอุปกรณ์ GaN จะมีตั้งแต่ตัวขยายสัญญาณและโมดูล RF ชนิด Gallium Arsenide (GaA) ไปจนถึงตัวขยายสัญญาณรบกวนต่ำ โมดูลหน้าบ้าน (Front-end Module หรือ RFFE) วาแรกเตอร์, Schottky และไดโอด PIN, สวิตช์ RF และตัวลดทอนแบบปรับค่าตัวแปรแรงดันไฟฟ้า (Voltage Variable Attenuator)
นอกจากนี้ บริษัทฯ ยังมอบเซนเซอร์คลื่นเสียงที่ผิวของหน้าจอ (Surface Acoustic Wave หรือ SAW) ที่มีประสิทธิภาพสูง และออสซิลเลเตอร์ระบบเครื่องกลไฟฟ้าจุลภาค (Microelectromechanical Systems หรือ MEMS) รวมถึงโมดูลที่ได้รับการบูรณการสูง ซึ่งผสานไมโครคอนโทรเลอร์ (Microcontroller หรือ MCU) เข้ากับทรานซีฟเวอร์ RF (Wi-Fi MCU) ที่รองรับโปรโตคอลการสื่อสารไร้สายระยะสั้นที่สำคัญจาก Bluetooth และ Wi-Fi ไปจนถึง LoRa
เครื่องมือพัฒนา
Microchip ให้การรองรับการออกแบบบอร์ด (Board Design) ด้วย Design-in เช่นเดียวกับพันธมิตรผู้จัดจำหน่ายของ บริษัทฯ นอกจากนี้ บริษัทฯ ยังมอบอุปกรณ์ Compact Model สำหรับผลิตภัณฑ์ GaN ตัวใหม่ ซึ่งช่วยให้ลูกค้าสร้างแบบจำลองสมรรถนะการทำงานและเร่งการออกแบบตัวขยายสัญญาณพลังงานในระบบของตนได้ง่ายดายยิ่งขึ้น
ความพร้อมในการสั่งซื้อ
อุปกรณ์ที่เปิดตัวในวันนี้ ซึ่งรวมถึงรุ่น ICP0349PP7-1-300I and ICP1543-1-110I ตลอดจนผลิตภัณฑ์ RF อื่นๆ ของ Microchip สามารถสั่งซื้อได้โดยมีการผลิตเป็นจำนวนมาก สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม โปรดติดต่อตัวแทนฝ่ายขายของ Microchip หรือเยี่ยมชมเว็บไซต์ ของ Microchip และหากต้องการสั่งซื้อผลิตภัณฑ์ GaN ของ Microchip โปรดติดต่อผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาตของ Microchip
